PANASONIC PAN AQZ202 - MOSFET-Fotorel, 2,5kV, 60V, 3A, SIP4
17.96 EUR
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PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang
• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen
• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV
• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=10ms
toff=3ms
Delivery Cost: 9.95 EUR
Availability: in stock
Delivery Time: 4-5 business days
Condition: new
PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang
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ton=10ms
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• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV
• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=10ms
toff=3ms
• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=10ms
toff=3ms
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• Niedriger On-Widerstand
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• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=10ms
toff=3ms
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=3ms
toff=0,2ms
• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen
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• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=5ms
toff=0,5ms
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=5ms
toff=0,5ms
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=10ms
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=0,5ms
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
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• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=2ms
toff=0,2ms
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• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=2ms
toff=1ms
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• Niedriger On-Widerstand
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Technische Merkmale
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ton=0,5ms
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ton=2ms
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ton=0,5ms
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Steuerstrom= 50mA
ton=2ms
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Steuerstrom= 50mA
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Steuerstrom= 50mA
ton=4ms
toff=1ms
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Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=3ms
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Steuerstrom= 50mA
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• Niedriger On-Widerstand
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• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=5ms
toff=0,5ms
• Zur Steuerung von Low-Level-Signalen
• Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV
• Niedriger On-Widerstand
• Geringer Off-State-Leckstrom
• Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung
Technische Merkmale
Steuerstrom= 50mA
ton=2ms
toff=0,1ms
FEATURES
- low on resistance
- ESD Protected 2KV
- High Speed Switching
- Low Voltage Drive
APPLICATION
- Logic Level translators
- DC-DC converter
Features:
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 available
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
• Material categorization: for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
Applications:
• Battery Switch
• DC/DC Converter
FEATURES
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFETs
- 175 °C Maximum junction temperature
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
FEATURES
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
APPLICATIONS
- LCD TV CCFL Inverter
- load switch
Features
- Low RDS(ON) to minimise line losses
- Logic level
- Low gate charge for fast switching
- ESD-protected 2.5 KV (HBM)
- RoHS compliant
- Halogen-free in accordance with IEC 61249-2-21
Applications
- Low side load switching
- Level-shift circuits
- General switching
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
Product availability: PMBF170 in SOT23.
Features
• trenchMOS™ technology
• very fast switching
• logic level compatible
• subminiature surface mount package.
Applications
• relay driver
• high speed line driver
• logic level translator.
General description:
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOSFET technology.
Features and benefits:
• Suitable for logic level gate drive sources
• Very fast switching
• Surface-mounted package
• Trench MOSFET technology
Applications:
• Logic level translators
• High-speed line drivers
features
- Dynamic dV/dt Rating
- Surface Mount (IRFR014, SiHFR014)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Low On-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
